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量子計算材料革命:從拓撲絕緣體到二維半導體的技術躍遷
發(fā)布時間:2025-06-25
在經典計算領域,硅基芯片制程已逼近物理極限,而量子計算的核心挑戰(zhàn)則來自量子比特的脆弱性。傳統(tǒng)超導量子比特的相干時間通常在微秒量級,環(huán)境噪聲導致的退相干現象使得糾錯成本呈指數級增長。以 IBM 的千比特量子計算機為例,其邏輯錯誤率仍高達 10^-3,距離容錯閾值(10^-4)尚有差距。這種技術瓶頸迫使研究者將目光投向新型材料體系,試圖通過材料科學的突破重構量子計算的物理基礎。
拓撲絕緣體作為一種新型量子材料,其內部絕緣而表面導電的特性為量子計算提供了獨特解決方案。中科院物理所的研究表明,拓撲絕緣體的表面態(tài)具有拓撲保護特性,能夠抑制電子 - 聲子散射,將量子比特的相干時間提升至毫秒量級。這種材料的能帶結構由狄拉克方程描述,表面態(tài)電子的運動遵循手性對稱性,使得量子比特操作的保真度超過 99.9%。
在實際應用中,拓撲絕緣體與超導體的結合催生了拓撲量子比特。2024 年,清華大學團隊在 Bi2Se3/Al 異質結中成功觀測到馬約拉納費米子,這種準粒子的非阿貝爾統(tǒng)計特性為拓撲量子計算提供了天然容錯機制。實驗數據顯示,基于拓撲量子比特的邏輯門操作錯誤率低至 10^-5,較傳統(tǒng)超導量子比特提升兩個數量級。
二維材料體系的崛起為量子芯片的小型化與集成化提供了新路徑。中國科大郭光燦院士團隊在二硫化鉬(MoS2)量子點器件中實現了全電學調控,通過氮化硼封裝技術將量子點尺寸縮小至 68 納米。這種器件在極低溫下表現出優(yōu)異的庫倫阻塞效應,為自旋 - 能谷耦合的量子調控奠定了基礎。
新型二維材料 NbOCl2 的突破更為關鍵。新加坡國立大學與中國科大合作研發(fā)的超薄量子光源,厚度僅 46 納米,其非線性光學效應強度是傳統(tǒng) WS2 材料的 100 倍。這種材料的層間電子耦合弱且空間結構非對稱,使得多層堆疊時二階非線性效應得以保留,為片上量子糾纏光源的實現提供了可能。
在國家科技重大專項支持下,我國已形成從材料研發(fā)到器件制備的完整技術鏈。合肥量子科技省建設的超導量子芯片產線,實現了 72 比特 “悟空芯” 的自主量產,其單比特門保真度達到 99.97%。中科院微電子所開發(fā)的二維材料異質結工藝,可在 28 納米節(jié)點上集成拓撲量子比特,為量子 - 經典融合計算提供了硬件基礎。
產業(yè)層面,本源量子推出的第三代超導量子計算機 “本源悟空”,搭載自主研發(fā)的量子操作系統(tǒng),支持 200 個量子線路的并行執(zhí)行。該系統(tǒng)在金融風控、藥物設計等領域的應用,已實現經典算法 10 倍以上的加速比。
量子計算的實用化離不開與經典計算的深度融合。中國科學技術大學開發(fā)的 Runtime 模式,通過量子 - 經典協(xié)同架構將計算效率提升 30%。這種模式下,經典計算機負責數據預處理與結果后處理,量子計算機專注于并行優(yōu)化,在材料模擬、密碼破譯等領域展現出獨特優(yōu)勢。
未來五年,隨著拓撲量子比特、二維半導體器件等技術的成熟,量子計算將進入 “糾錯量子時代”。國家重點研發(fā)計劃布局的量子 - 經典混合架構,預計在 2030 年前實現百萬邏輯量子比特的規(guī)模,推動量子計算從實驗室走向工業(yè)級應用。
從拓撲絕緣體到二維半導體,材料科學的每一次突破都在重塑量子計算的物理極限。我國在該領域的持續(xù)投入,已形成 “基礎研究 - 技術攻關 - 產業(yè)應用” 的完整生態(tài)。這場由材料創(chuàng)新驅動的量子革命,不僅關乎算力的提升,更將為人工智能、能源存儲、生物醫(yī)藥等領域帶來范式變革。正如拓撲量子比特的發(fā)現者張首晟所言:“材料科學是打開量子計算黑箱的鑰匙?!?當我們在二維原子層間構建量子比特,在拓撲表面態(tài)中實現信息操控,人類正以前所未有的精度探索微觀世界的終極規(guī)律。